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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
16.0
写入速度,GB/s
1,857.7
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3238
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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