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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 69
    左右 -103% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    4,217.2 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    1,857.7 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2963

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较

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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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