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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
4,217.2
14.1
写入速度,GB/s
1,857.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2940
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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