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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
76
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
76
读取速度,GB/s
4,217.2
10.3
写入速度,GB/s
1,857.7
6.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1260
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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