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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
69
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
52
读取速度,GB/s
4,217.2
10.1
写入速度,GB/s
1,857.7
7.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2176
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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