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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
69
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
61
读取速度,GB/s
4,217.2
17.6
写入速度,GB/s
1,857.7
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2113
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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