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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
14.7
写入速度,GB/s
1,950.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2658
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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