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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,950.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3861
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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