RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.7
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 58
    左右 -87% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.1 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 17.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 3711

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
内存RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
内存RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
内存RAM