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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
95
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
95
读取速度,GB/s
4,241.0
14.4
写入速度,GB/s
1,950.7
6.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1450
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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