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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
15.2
写入速度,GB/s
1,950.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2774
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
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