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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
4,605.9
16.8
写入速度,GB/s
2,451.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2990
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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