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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,605.9
18.5
写入速度,GB/s
2,451.8
16.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3767
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
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