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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 9965640-016.A00G 32GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
65
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,451.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
42
读取速度,GB/s
4,605.9
8.3
写入速度,GB/s
2,451.8
5.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
1687
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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