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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,605.9
14.2
写入速度,GB/s
2,451.8
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2596
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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