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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
4,605.9
16.9
写入速度,GB/s
2,451.8
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3035
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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