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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,672.4
18.9
写入速度,GB/s
1,906.4
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
3418
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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