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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
4,672.4
19.3
写入速度,GB/s
1,906.4
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
3246
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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