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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
13.4
19.9
写入速度,GB/s
12.1
16.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3886
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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