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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
12.1
13.1
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3072
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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