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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 29
    左右 14% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 12.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3419 left arrow 3416

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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