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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
17
读取速度,GB/s
13.4
21.1
写入速度,GB/s
12.1
19.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3829
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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