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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
54
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
12.1
11.6
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
2511
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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