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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
15.6
写入速度,GB/s
12.0
11.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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