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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
17.3
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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