RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 38
    左右 13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51% 更高的带宽
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 2807

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
内存RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
内存RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
内存RAM