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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
15.7
写入速度,GB/s
12.0
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2491
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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