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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.6
21.6
写入速度,GB/s
12.0
19.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
4250
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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