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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
17.6
10.8
写入速度,GB/s
12.0
8.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2416
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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