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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

总分
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

总分
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 41
    左右 -32% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 12.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 2951

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAM的比较

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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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