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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.3
16.3
写入速度,GB/s
8.5
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3068
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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