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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
比较
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
总分
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
40
读取速度,GB/s
14.1
13.9
写入速度,GB/s
8.2
8.6
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2240
2205
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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