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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.2
9.0
写入速度,GB/s
8.4
4.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1726
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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