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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
78
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
78
读取速度,GB/s
13.2
13.7
写入速度,GB/s
8.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1895
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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