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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
20
读取速度,GB/s
14.4
16.0
写入速度,GB/s
9.5
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2414
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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