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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 35
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 10.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 2783

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KYXC0V-MID 16GB
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内存RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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