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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

总分
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

总分
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 99
    左右 61% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 6.9
    测试中的平均数值
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB 需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 99
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 6.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1770 left arrow 1499

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较

Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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