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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
11.7
15.1
写入速度,GB/s
7.2
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2800
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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