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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB

总分
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
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AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 20.6
    测试中的平均数值
AMD R9S48G3206U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 56
    左右 -51% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    4,387.7 left arrow 20.6
  • 写入速度，GB/s
    1,813.5 left arrow 13.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    693 left arrow 3518

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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