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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
56
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
34
读取速度,GB/s
4,387.7
15.3
写入速度,GB/s
1,813.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2960
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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