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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
13.8
写入速度,GB/s
1,813.5
6.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1844
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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