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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.7
18.0
写入速度,GB/s
7.2
14.1
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3593
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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