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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
AMD R7S48G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7S48G2400U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
74
读取速度,GB/s
12.8
14.2
写入速度,GB/s
9.0
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1774
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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