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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
72
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
72
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
9.0
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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