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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
19.9
写入速度,GB/s
8.7
14.9
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3732
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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