RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 49
    左右 -75% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 8.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 3090

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
内存RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
内存RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
内存RAM