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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.9
17.5
写入速度,GB/s
8.7
13.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3169
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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