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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
51
左右 -155% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
20
读取速度,GB/s
9.8
19.6
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3234
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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