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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
54
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
54
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2511
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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