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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
9.8
13.5
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2121
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
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